Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) активно развивает первые образцы оперативной памяти стандарта DDR5 и сопутствующие решения. Ещё недавно производитель завершил планирование производственных процессов, поставив амбициозную задачу — войти в прямую конкуренцию с лидерами рынка DRAM: Samsung, SK hynix и Micron.
На международной выставке полупроводников в Китае (2025 год) CXMT публично анонсировала новое поколение модулей, включая DDR5 и LPDDR5X.
Модели DDR5 от CXMT выпускаются в двух вариантах плотности: 16 Гбит и 24 Гбит. Максимальная пропускная способность достигает 8000 МТ/с. Продуктовая линейка охватывает разные форм-факторы:
- UDIMM
- SODIMM
- RDIMM
- CSODIMM
- CUDIMM
- TFF MRDIMM
Все они базируются на чипах CXMT и предназначены для серверов, ПК, ноутбуков и других устройств.
Компания подтвердила сотрудничество с ASGARD — производителем модулей памяти. По данным CXMT, игровые комплекты ASGARD демонстрируют рекордные частоты при разгоне. Ранее ASGARD вошли в число пионеров, выпустивших модули формата CUDIMM DDR5.
Помимо DDR5, CXMT показала энергоэффективные модули LPDDR5X с плотностью 12 Гбит/с и 16 Гбит/с. Скорость передачи данных здесь достигает 10 667 МТ/с. Доступные конфигурации:
- 12 ГБ
- 16 ГБ
- 24 ГБ
- 32 ГБ
Эти решения ориентированы на ноутбуки, встраиваемые системы и оборудование для задач искусственного интеллекта.
Samsung увеличила договорные цены на флеш-память NAND вплоть до 60%
Запуск DDR5 от CXMT происходит в период глобального дефицита DRAM-чипов из-за взрывного спроса со стороны индустрии ИИ, что провоцирует рост рыночных цен. Локализация производства DDR5 в Китае поможет снизить зависимость от зарубежных поставок и гарантировать стабильное обеспечение внутренних потребителей.